Tytuł artykułu

LP-MOVPE growth and properties of high Si-doped InGaAs contact layer for quantum cascade laser applications

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2016

Wolumin

vol. 24

Numer

No 2

Autorzy

Ściana, B. ; Badura, M. ; Dawidowski, W. ; Bielak, K. ; Radziewicz, D. ; Pucicki, D. ; Szyszka, A. ; Żelazna, K. ; Tłaczała, M.

Słowa kluczowe

InGaAs/InP heterostructures ; silicon-doping ; InGaAs plasmon-contact layer ; quantum cascade lasers

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

95-102

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

21.04.2016

Typ

Article

Identyfikator

ISSN 1896-3757

Źródło

Opto-Electronics Review; 2016; vol. 24; No 2; 95-102

Indeksowanie w bazach

Abstracting and Indexing:
Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang

additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar