Szczegóły Szczegóły PDF BIBTEX RIS Tytuł artykułu AlSb and InAs-GaSb layer thickness effect on HH-LH splitting and band gap energies in InAs/AlSb/GaSb type-II superlattices Tytuł czasopisma Opto-Electronics Review Rocznik 2015 Wolumin vol. 23 Numer No 1 Autorzy Alyoruk, M.M. ; Ergun, Y. ; Hostut, M. Słowa kluczowe InAs/AlSb/GaSb type−II SL structure ; HH−LH splitting ; N−structure ; DFT ; layer thickness effect Wydział PAN Nauki Techniczne Zakres 24-27 Wydawca Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology Data 27.01.2015 Typ Article Identyfikator ISSN 1896-3757 Źródło Opto-Electronics Review; 2015; vol. 23; No 1; 24-27