Tytuł artykułu

AlSb and InAs-GaSb layer thickness effect on HH-LH splitting and band gap energies in InAs/AlSb/GaSb type-II superlattices

Tytuł czasopisma

Opto-Electronics Review

Rocznik

2015

Wolumin

vol. 23

Numer

No 1

Autorzy

Alyoruk, M.M. ; Ergun, Y. ; Hostut, M.

Słowa kluczowe

InAs/AlSb/GaSb type−II SL structure ; HH−LH splitting ; N−structure ; DFT ; layer thickness effect

Wydział PAN

Nauki Techniczne

Zakres

24-27

Wydawca

Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology

Data

27.01.2015

Typ

Article

Identyfikator

ISSN 1896-3757

Źródło

Opto-Electronics Review; 2015; vol. 23; No 1; 24-27

Indeksowanie w bazach

Abstracting and Indexing:
Arianta
BazTech
EBSCO relevant databases
EBSCO Discovery Service
SCOPUS relevant databases
ProQuest relevant databases
Clarivate Analytics relevant databases
WangFang

additionally:
ProQuesta (Ex Libris, Ulrich, Summon)
Google Scholar