Szczegóły Szczegóły PDF BIBTEX RIS Tytuł artykułu Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies Tytuł czasopisma Opto-Electronics Review Rocznik 2017 Wolumin vol. 25 Numer No 2 Autorzy Izhnin, I.I. ; Mynbaev, K.D. ; Voitsekhovskii, A.V. ; Korotaev, A.G. ; Fitsych, O.I. ; Pociask-Bialy, M. Słowa kluczowe HgCdTe ; Ion etching ; Photodetectors ; Defects ; Doping Wydział PAN Nauki Techniczne Zakres 148-170 Wydawca Polish Academy of Sciences (under the auspices of the Committee on Electronics and Telecommunication) and Association of Polish Electrical Engineers in cooperation with Military University of Technology Data 29.04.2017 Typ Article Identyfikator ISSN 1896-3757 Źródło Opto-Electronics Review; 2017; vol. 25; No 2; 148-170